BS3-U1M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики купить с доставкой по всей России | Глобал Инжиниринг Групп — цена и характеристики
Глобал Инжиниринг Групп
г. Владивосток
сайт-лого
Поставки промышленного оборудования
Заказать звонок
сайт-лого
сайт-лого

BS3-U1M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики

BS3-U1M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики
BS3-U1M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики
Артикул: BS3-U1M-P
Autonics
Нашли дешевле?
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
Степень защиты
IP50 (IEC standard)
Режим работы
На свет / на затемнение (устанавливается контрольным проводом)
Принцип работы
На пересечение луча
Напряжение питания, В
5-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Все характеристики

Микрофотоэлектрические датчики Autonics BS3-U1M-P – это высокоточные устройства, работающие по принципу пересечения луча. Они отличаются исключительной чувствительностью и минимальным гистерезисом, не превышающим 0,05 мм, что делает их оптимальным выбором для использования в различных отраслях, включая металлургию, пищевую промышленность и автоматизацию производственных процессов. Благодаря быстрому времени срабатывания – до 20 мкс на свет и до 100 мкс на затемнение – эти датчики способны мгновенно реагировать на изменения в окружающей среде, обеспечивая высокую эффективность и точность производственных процессов.

Степень защиты
IP50 (IEC standard)
Режим работы
На свет / на затемнение (устанавливается контрольным проводом)
Принцип работы
На пересечение луча
Напряжение питания, В
5-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Расстояние срабатывания, мм
5мм
Влажность окружающей среды
Относительная влажность 35-85%, при хранении: 35-85%
Масса, г
~50г
Управляющий выход
PNP с открытым коллектором
Источник света
Инфракрасный LED индикатор
Температура окружающей среды
-20…+55℃, при хранении: -25…+85℃
Способ подключения
Ø2.5мм, 4-проводной, 1м
Мин. объект обнаружения
≥ 0.8 мм × 1.8 мм
Время срабатывания
На свет: макс. 20мксНа затемнение: макс. 100мкс
Материалы
Корпус: PBT, Чувствительная часть: ПК
Объект обнаружения
Непрозрачный
Потребляемый ток
Макс. 15мА
Электрическая защита
Схема защиты от обратной полярности, схема защиты от перегрузки по току (короткое замыкание)
Сопротивление изоляции
≥ 20 МОм (при 500 В постоянного тока @(=) мегомметр)
Помехоустойчивость
± 240 В постоянного тока @(=) прямоугольный шум (ширина импульса: 1 мкс) при моделировании шума
Диэлектрическая прочность
1000V AC 50/60Гц в течение 1 минуты
Вибростойкость
Амплитуда 1,5 мм (макс. Ускорение 196 м / с²) при частоте от 10 до 2000 Гц в каждом направлении X, Y, Z в течение 2 часов
Ударная нагрузка
15000 м / с² (прибл. 1500G) в каждом направлении X, Y, Z по 3 раза
Окружающее освещение
Флюоресцентная лампа — не более 1000лк (засветка приемника)
Гистерезис
≤0,05 мм
Индикатор
Индикатор работы (красный светодиод)
Напряжение нагрузки
≤ 24VDC@(=)
Ток нагрузки
Макс. 50мА
Остаточное напряжение
NPN: ≤1.2VDC@(=), PNP: ≤ 1.2VDC@(=)
ядро
AWG28 (0,08 мм), 19 жил, наружный диаметр изолятора: Ø0,65 мм
Пиковая длина волны излучения
940 нм
Бренд
BS3-U1M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики