BS4-T2M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики купить с доставкой по всей России | Глобал Инжиниринг Групп — цена и характеристики
Глобал Инжиниринг Групп
г. Владивосток
сайт-лого
Поставки промышленного оборудования
Заказать звонок
сайт-лого
сайт-лого

BS4-T2M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики

BS4-T2M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики
BS4-T2M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики
Артикул: BS4-T2M-P
Autonics
Нашли дешевле?
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
Степень защиты
IP50 (IEC standard)
Режим работы
Light ON/Dark ON(Built-in)
Принцип работы
На пересечение луча
Напряжение питания, В
5-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Все характеристики

Микрофотоэлектрические датчики Autonics BS4-T2M-P – это высокоточные устройства, основанные на принципе пересечения луча. Благодаря минимальному гистерезису, составляющему ≤0,05 мм, эти датчики идеально подходят для применения в процессах, где требуется высокая точность. Их ключевое преимущество – скорость срабатывания: до 20 микросекунд при включении света и 80 микросекунд при его выключении. Эта скорость позволяет эффективно использовать датчики в динамичных производственных средах, включая металлургию и пищевую промышленность. Простая интеграция в существующие системы автоматизации обеспечивается благодаря подключению через разъем.

Степень защиты
IP50 (IEC standard)
Режим работы
Light ON/Dark ON(Built-in)
Принцип работы
На пересечение луча
Напряжение питания, В
5-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Расстояние срабатывания, мм
5мм
Влажность окружающей среды
Относительная влажность 35-85%, при хранении: 35-85%
Масса, г
≈ 2.4 г
Управляющий выход
PNP с открытым коллектором
Источник света
Инфракрасный LED индикатор
Температура окружающей среды
-20…+55℃, при хранении: -25…+85℃
Способ подключения
Разъём
Мин. объект обнаружения
≥ 0.8 мм × 1.8 мм
Время срабатывания
Light ON: Max. 20㎲,Dark ON: Max. 80㎲
Материалы
Корпус: PBT, Чувствительная часть: ПК
Объект обнаружения
Непрозрачный
Потребляемый ток
Макс. 15мА
Электрическая защита
Схема защиты от обратной полярности, схема защиты от перегрузки по току (короткое замыкание)
Сопротивление изоляции
≥ 20 МОм (при 500 В постоянного тока @(=) мегомметр)
Помехоустойчивость
± 240 В постоянного тока @(=) прямоугольный шум (ширина импульса: 1 мкс) при моделировании шума
Диэлектрическая прочность
1000V AC 50/60Гц в течение 1 минуты
Вибростойкость
Амплитуда 1,5 мм (макс. Ускорение 196 м / с²) при частоте от 10 до 2000 Гц в каждом направлении X, Y, Z в течение 2 часов
Ударная нагрузка
15000 м / с² (прибл. 1500G) в каждом направлении X, Y, Z по 3 раза
Окружающее освещение
Флюоресцентная лампа — не более 1000лк (засветка приемника)
Гистерезис
≤0,05 мм
Индикатор
Индикатор работы (красный светодиод)
Напряжение нагрузки
≤ 24VDC@(=)
Ток нагрузки
Макс. 50мА
Остаточное напряжение
NPN: ≤1.2VDC@(=), PNP: ≤ 1.2VDC@(=)
Пиковая длина волны излучения
940 нм
Бренд
BS4-T2M-P AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики