BS5-R1M-P-F AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики купить с доставкой по всей России | Глобал Инжиниринг Групп — цена и характеристики
Глобал Инжиниринг Групп
г. Владивосток
сайт-лого
Поставки промышленного оборудования
Заказать звонок
сайт-лого
сайт-лого

BS5-R1M-P-F AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики

BS5-R1M-P-F AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики
BS5-R1M-P-F AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики
Артикул: BS5-R1M-P-F
Autonics
Нашли дешевле?
-
+
×
Выбрано максимальное количество, доступное для заказа
Степень защиты
IP50 (IEC standard)
Режим работы
На свет / на затемнение (устанавливается контрольным проводом)
Принцип работы
На пересечение луча
Напряжение питания, В
5-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Все характеристики

Микрофотоэлектрические датчики Autonics BS5-R1M-P-F – это современное и эффективное решение для автоматизации производственных процессов в самых разных отраслях промышленности. Принцип работы этих датчиков основан на пересечении луча, благодаря чему достигается высокая точность обнаружения объектов на расстоянии до 5 мм. Благодаря широкому диапазону напряжения питания – от 5 до 24 В DC – и выходу PNP с открытым коллектором, датчики Autonics легко интегрируются в системы управления, где требуется надежность и максимальная эффективность.

Степень защиты
IP50 (IEC standard)
Режим работы
На свет / на затемнение (устанавливается контрольным проводом)
Принцип работы
На пересечение луча
Напряжение питания, В
5-24V DC ±10% (пульсации P-P: макс. 10%)
Расстояние срабатывания, мм
5мм
Влажность окружающей среды
Относительная влажность 35-85%, при хранении: 35-85%
Управляющий выход
Выход PNP с открытым коллектором
Источник света
Инфракрасный LED (940нм)
Температура окружающей среды
-20…+55℃, при хранении: -25…+85℃
Способ подключения
Тип кабеля
Мин. объект обнаружения
≥Ø0,8 мм×2 мм
Время срабатывания
На свет: макс. 20мксНа затемнение: макс. 100мкс
Материалы
Корпус: PBT, Чувствительная часть: ПК
Объект обнаружения
Непрозрачный
Потребляемый ток
Макс. 30мА
Электрическая защита
Схема защиты от обратной полярности, схема защиты от перегрузки по току (короткое замыкание)
Сопротивление изоляции
≥ 20 МОм (при 500 В постоянного тока @(=) мегомметр)
Помехоустойчивость
± 240 В постоянного тока @(=) прямоугольный шум (ширина импульса: 1 мкс) при моделировании шума
Диэлектрическая прочность
Между зарядной цепью и корпусом: 1000 В~ 50/60 Гц в течение 1 минуты
Вибростойкость
Амплитуда 1,5 мм (макс. Ускорение 196 м / с²) при частоте от 10 до 2000 Гц в каждом направлении X, Y, Z в течение 2 часов
Ударная нагрузка
15000 м / с² (прибл. 1500G) в каждом направлении X, Y, Z по 3 раза
Окружающее освещение
Флюоресцентная лампа — не более 1000лк (засветка приемника)
Гистерезис
≤0,05 мм
Индикатор
Индикатор работы (красный светодиод)
Напряжение нагрузки
≤30VDC@(=)
Ток нагрузки
Не более 100 мА
Остаточное напряжение
NPN: ≤1.2VDC@(=), PNP: ≤ 1.2VDC@(=)
Масса устройства
~50г
Бренд
BS5-R1M-P-F AUTONICS Микрофотоэлектрические датчики